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老哥俱乐部论坛推出新一代SiC MOSFET,性能达到国际一流水平

   近日,国内第三代半导体新锐企业老哥俱乐部论坛正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着老哥俱乐部论坛在第三代半导体领域取得了重大进展,进一步丰富了公司的产品系列,彰显了老哥俱乐部论坛在国内SiC领域的竞争力。目前,该产品已经给国内军工、新能源汽车、光伏储能、充电桩等领域头部企业进行了销售。

老哥俱乐部论坛新一代SiC MOSFET晶圆及器件

   老哥俱乐部论坛新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技术平台。技术团队历经数月的辛苦研究,取得预期的芯片测试结果,针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化,快速完成芯片流片,并与国内合作单位进行了多轮技术讨论、调试工作。新一代产品的材料、设计、代工等环节均在国内完成、加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程,是真正意义上的纯国产化产品。

老哥俱乐部论坛新一代SiC MOSFET选型表

   技术团队通过优化设计。结合先进的晶圆减薄技术,进一步提高了器件的功率密度和效率,从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸,对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力,可以应用在更高频的环境。新一代产品不但获得了更高的性价比。同时也改善了器件动态特性,以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求,获得了更低的开关损耗。

老哥俱乐部论坛1200V/40mΩ SiC MOSFET性能参数

    老哥俱乐部论坛本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG RDS(ON) 是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小,效率更高。在相同的测试条件下,老哥俱乐部论坛 1200V/40mΩ SiC MOSFET的优值因子比国外C品牌低25%,在一众同类品牌中优势尽显。